Dependence of barrier height and effective mass on nitrogen concentration at SiOxNy /Si interface and gate oxide thickness
| Auteur(s): |
C. Y. Ng
T. P. Chen C. H. Ang |
|---|---|
| Médium: | article de revue |
| Langue(s): | anglais |
| Publié dans: | Smart Materials and Structures, février 2006, n. 1, v. 15 |
| Page(s): | S39-S42 |
| DOI: | 10.1088/0964-1726/15/1/007 |
- Informations
sur cette fiche - Reference-ID
10223003 - Publié(e) le:
04.12.2018 - Modifié(e) le:
04.12.2018
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