Dependence of barrier height and effective mass on nitrogen concentration at SiOxNy /Si interface and gate oxide thickness
| Autor(en): |
C. Y. Ng
T. P. Chen C. H. Ang |
|---|---|
| Medium: | Fachartikel |
| Sprache(n): | Englisch |
| Veröffentlicht in: | Smart Materials and Structures, Februar 2006, n. 1, v. 15 |
| Seite(n): | S39-S42 |
| DOI: | 10.1088/0964-1726/15/1/007 |
- Über diese
Datenseite - Reference-ID
10223003 - Veröffentlicht am:
04.12.2018 - Geändert am:
04.12.2018
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