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  1. Ng, C. Y. / Chen, T. P. / Ang, C. H. (2006): Dependence of barrier height and effective mass on nitrogen concentration at SiOxNy /Si interface and gate oxide thickness. Dans: Smart Materials and Structures, v. 15, n. 1 (février 2006).

    https://doi.org/10.1088/0964-1726/15/1/007

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