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Stress in low-temperature plasma enhanced chemical vapour deposited silicon nitride thin films

Structurae ne peut pas vous offrir cette publication en texte intégral pour l'instant. Le texte intégral est accessible chez l'éditeur. DOI: 10.1088/0964-1726/15/1/006.
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    sur cette fiche
  • Reference-ID
    10223009
  • Publié(e) le:
    04.12.2018
  • Modifié(e) le:
    04.12.2018
 
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