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The effects of annealing and wake-up cycling on the ferroelectricity of zirconium hafnium oxide ultrathin films prepared by remote plasma atomic layer deposition

Cette publication a 21 références bibliographiques :

  • Informations
    sur cette fiche
  • Reference-ID
    10313660
  • Publié(e) le:
    30.06.2019
  • Modifié(e) le:
    26.07.2019
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