The effects of annealing and wake-up cycling on the ferroelectricity of zirconium hafnium oxide ultrathin films prepared by remote plasma atomic layer deposition
Auteur(s): |
Tzu-Yao Hsu
Chin-Lung Kuo Bo-Ting Lin Jay Shieh Miin-Jang Chen |
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Médium: | article de revue |
Langue(s): | anglais |
Publié dans: | Smart Materials and Structures, août 2019, n. 8, v. 28 |
Page(s): | 084005 |
DOI: | 10.1088/1361-665x/ab23c3 |
- Informations
sur cette fiche - Reference-ID
10313660 - Publié(e) le:
30.06.2019 - Modifié(e) le:
26.07.2019