The effects of annealing and wake-up cycling on the ferroelectricity of zirconium hafnium oxide ultrathin films prepared by remote plasma atomic layer deposition
Autor(en): |
Tzu-Yao Hsu
Chin-Lung Kuo Bo-Ting Lin Jay Shieh Miin-Jang Chen |
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Medium: | Fachartikel |
Sprache(n): | Englisch |
Veröffentlicht in: | Smart Materials and Structures, August 2019, n. 8, v. 28 |
Seite(n): | 084005 |
DOI: | 10.1088/1361-665x/ab23c3 |
- Über diese
Datenseite - Reference-ID
10313660 - Veröffentlicht am:
30.06.2019 - Geändert am:
26.07.2019