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The effects of annealing and wake-up cycling on the ferroelectricity of zirconium hafnium oxide ultrathin films prepared by remote plasma atomic layer deposition

Diese Veröffentlichung enthält 21 Literaturhinweise zu anderen Veröffentlichungen:

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  • Reference-ID
    10313660
  • Veröffentlicht am:
    30.06.2019
  • Geändert am:
    26.07.2019
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