Propriétés de transistors "Planar" au silicium à de très faibles courants
| Auteur(s): |
R. Dessoulavy
J. Zeller |
|---|---|
| Médium: | article de revue |
| Langue(s): | français |
| Publié dans: | Bulletin technique de la Suisse romande, 14 décembre 1963, n. 25, v. 89 |
| Année: | 1963 |
| DOI: | 10.5169/seals-66359 |
- Informations
sur cette fiche - Reference-ID
10510589 - Publié(e) le:
26.11.2020 - Modifié(e) le:
26.02.2021
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