Propriétés de transistors "Planar" au silicium à de très faibles courants
| Autor(en): |
R. Dessoulavy
J. Zeller |
|---|---|
| Medium: | Fachartikel |
| Sprache(n): | Französisch |
| Veröffentlicht in: | Bulletin technique de la Suisse romande, 14 Dezember 1963, n. 25, v. 89 |
| Jahr: | 1963 |
| DOI: | 10.5169/seals-66359 |
- Über diese
Datenseite - Reference-ID
10510589 - Veröffentlicht am:
26.11.2020 - Geändert am:
26.02.2021
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