Monte Carlo model for the analysis and development of III-V Tunnel-FETs and Impact Ionization-MOSFETs
| Auteur(s): |
V. Talbo
J. Mateos T. González Y. Lechaux N. Wichmann S. Bollaert B. G. Vasallo |
|---|---|
| Médium: | article de revue |
| Langue(s): | anglais |
| Publié dans: | Journal of Physics: Conference Series, octobre 2015, v. 647 |
| Page(s): | 012056 |
| DOI: | 10.1088/1742-6596/647/1/012056 |
- Informations
sur cette fiche - Reference-ID
10671222 - Publié(e) le:
12.06.2022 - Modifié(e) le:
12.06.2022
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