Monte Carlo model for the analysis and development of III-V Tunnel-FETs and Impact Ionization-MOSFETs
| Autor(en): |
V. Talbo
J. Mateos T. González Y. Lechaux N. Wichmann S. Bollaert B. G. Vasallo |
|---|---|
| Medium: | Fachartikel |
| Sprache(n): | Englisch |
| Veröffentlicht in: | Journal of Physics: Conference Series, Oktober 2015, v. 647 |
| Seite(n): | 012056 |
| DOI: | 10.1088/1742-6596/647/1/012056 |
- Über diese
Datenseite - Reference-ID
10671222 - Veröffentlicht am:
12.06.2022 - Geändert am:
12.06.2022
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