Journal of Physics: Conference Series - Oktober 2015
Erschienen: | Oktober 2015 |
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Artikel in dieser Ausgabe
Autor(en) | Titel | Seite(n) |
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Talbo, V. / Mateos, J. / González, T. / Lechaux, Y. / Wichmann, N. / Bollaert, S. / Vasallo, B. G. | Monte Carlo model for the analysis and development of III-V Tunnel-FETs and Impact Ionization-MOSFETs | 012056 |