Electromigration-induced void evolution in upper and lower layer dual-inlaid Copper interconnect structures
Auteur(s): |
D. J. Pete
S. G. Mhaisalkar J. B. Helonde A. V. Vairagar |
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Médium: | article de revue |
Langue(s): | anglais |
Publié dans: | Advances in Materials Research, juin 2012, n. 2, v. 1 |
Page(s): | 109-113 |
DOI: | 10.12989/amr.2012.1.2.109 |
- Informations
sur cette fiche - Reference-ID
10666910 - Publié(e) le:
27.05.2022 - Modifié(e) le:
27.05.2022