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Electromigration-induced void evolution in upper and lower layer dual-inlaid Copper interconnect structures

Autor(en):



Medium: Fachartikel
Sprache(n): Englisch
Veröffentlicht in: Advances in Materials Research, , n. 2, v. 1
Seite(n): 109-113
DOI: 10.12989/amr.2012.1.2.109
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  • Über diese
    Datenseite
  • Reference-ID
    10666910
  • Veröffentlicht am:
    27.05.2022
  • Geändert am:
    27.05.2022
 
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