Electromigration-induced void evolution in upper and lower layer dual-inlaid Copper interconnect structures
Autor(en): |
D. J. Pete
S. G. Mhaisalkar J. B. Helonde A. V. Vairagar |
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Medium: | Fachartikel |
Sprache(n): | Englisch |
Veröffentlicht in: | Advances in Materials Research, Juni 2012, n. 2, v. 1 |
Seite(n): | 109-113 |
DOI: | 10.12989/amr.2012.1.2.109 |
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Datenseite - Reference-ID
10666910 - Veröffentlicht am:
27.05.2022 - Geändert am:
27.05.2022