Effects of annealing conditions on photoelectrical properties of Ba1−xSrxNbyTi1−yO3 thin-film resistor
| Auteur(s): |
B. Li
H. B. Lo P. T. Lai Y. R. Liu G. Q. Li M. Q. Huang |
|---|---|
| Médium: | article de revue |
| Langue(s): | anglais |
| Publié dans: | Smart Materials and Structures, février 2006, n. 1, v. 15 |
| Page(s): | N23-N27 |
| DOI: | 10.1088/0964-1726/15/1/n05 |
- Informations
sur cette fiche - Reference-ID
10223035 - Publié(e) le:
04.12.2018 - Modifié(e) le:
04.12.2018
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