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Effects of annealing conditions on photoelectrical properties of Ba1−xSrxNbyTi1−yO3 thin-film resistor

Structurae kann Ihnen derzeit diese Veröffentlichung nicht im Volltext zur Verfügung stellen. Der Volltext ist beim Verlag erhältlich über die DOI: 10.1088/0964-1726/15/1/n05.
  • Über diese
    Datenseite
  • Reference-ID
    10223035
  • Veröffentlicht am:
    04.12.2018
  • Geändert am:
    04.12.2018
 
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