Effects of annealing conditions on photoelectrical properties of Ba1−xSrxNbyTi1−yO3 thin-film resistor
| Autor(en): |
B. Li
H. B. Lo P. T. Lai Y. R. Liu G. Q. Li M. Q. Huang |
|---|---|
| Medium: | Fachartikel |
| Sprache(n): | Englisch |
| Veröffentlicht in: | Smart Materials and Structures, Februar 2006, n. 1, v. 15 |
| Seite(n): | N23-N27 |
| DOI: | 10.1088/0964-1726/15/1/n05 |
- Über diese
Datenseite - Reference-ID
10223035 - Veröffentlicht am:
04.12.2018 - Geändert am:
04.12.2018
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