Gate leakage tolerant circuits in deep sub-100 nm CMOS technologies
| Auteur(s): |
Ge Yang
Zhongda Wang Sung-Mo Kang |
|---|---|
| Médium: | article de revue |
| Langue(s): | anglais |
| Publié dans: | Smart Materials and Structures, février 2006, n. 1, v. 15 |
| Page(s): | S21-S28 |
| DOI: | 10.1088/0964-1726/15/1/005 |
- Informations
sur cette fiche - Reference-ID
10222987 - Publié(e) le:
04.12.2018 - Modifié(e) le:
04.12.2018
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