Characteristic enhancement of InGaN-based light emitting diodes grown on pattern sapphire substrates
| Auteur(s): |
Huanyou Wang
Gui Jin Qiaolai Tan |
|---|---|
| Médium: | article de revue |
| Langue(s): | anglais |
| Publié dans: | IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, février 2020, v. 758 |
| Conférence: | 7th International Conference on Mechanical Engineering, Materials Science and Civil Engineering 17–18 December 2019, Sanya, China |
| Page(s): | 012087 |
| DOI: | 10.1088/1757-899X/758/1/012087 |
| Copyright: | © 2020 Huanyou Wang, Gui Jin, Qiaolai Tan |
| License: | Cette oeuvre a été publiée sous la license Creative Commons Attribution 3.0 (CC-BY 3.0). Il est autorisé de partager et adapter l'oeuvre tant que l'auteur est crédité et la license est indiquée. |
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- Informations
sur cette fiche - Reference-ID
10433407 - Publié(e) le:
25.08.2020 - Modifié(e) le:
03.07.2021
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