Kristalle - aus einzelnen Atomen massgeschneidert: Molekularstrahl-Epitaxie: Voraussetzung für neue Generation leistungsfähiger Halbleiter-Bauelemente
| Auteur(s): |
Eugen Hintsches
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|---|---|
| Médium: | article de revue |
| Langue(s): | allemand |
| Publié dans: | Schweizer Ingenieur und Architekt, 11 juin 1981, n. 24, v. 99 |
| DOI: | 10.5169/seals-74517 |
- Informations
sur cette fiche - Reference-ID
10501504 - Publié(e) le:
25.11.2020 - Modifié(e) le:
25.11.2020
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