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Effect of SiC on the dielectric and microwave absorption performance of F-doped Si3N4 ceramics in X-band

Auteur(s):






Médium: article de revue
Langue(s): anglais
Publié dans: IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, , v. 758
Conférence: 7th International Conference on Mechanical Engineering, Materials Science and Civil Engineering 17–18 December 2019, Sanya, China
Page(s): 012005
DOI: 10.1088/1757-899X/758/1/012005
Copyright: © 2020 Adil Saleem, Yujun Zhang, Hongyu Gong, Muhammad K Majeed, Xiao Lin, M Zeeshan Ashfaq, Zhang Xinfeng
License:

Cette oeuvre a été publiée sous la license Creative Commons Attribution 3.0 (CC-BY 3.0). Il est autorisé de partager et adapter l'oeuvre tant que l'auteur est crédité et la license est indiquée.

  • Informations
    sur cette fiche
  • Reference-ID
    10433325
  • Publié(e) le:
    25.08.2020
  • Modifié(e) le:
    03.07.2021
 
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