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Phase-field simulation of conductive inclusion evolution in highly symmetric oriented single crystal metal interconnects under anisotropic interface diffusion induced by electromigration

Autor(en):

Medium: Fachartikel
Sprache(n): Englisch
Veröffentlicht in: Journal of Mechanics of Materials and Structures, , n. 3, v. 19
Seite(n): 373-395
DOI: 10.2140/jomms.2024.19.373
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  • Über diese
    Datenseite
  • Reference-ID
    10774653
  • Veröffentlicht am:
    29.04.2024
  • Geändert am:
    29.04.2024
 
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