0
  • DE
  • EN
  • FR
  • Internationale Datenbank und Galerie für Ingenieurbauwerke

Anzeige

A novel driver circuit of SiC MOSFET for suppressing crosstalk voltage in bridge circuit

Autor(en):



Medium: Fachartikel
Sprache(n): Englisch
Veröffentlicht in: Journal of Physics: Conference Series, , n. 1, v. 2703
Seite(n): 012080
DOI: 10.1088/1742-6596/2703/1/012080
Abstrakt:

Due to the presence of crosstalk voltage in the circuit, SiC MOSFET devices can be damaged or misled. Suppressing crosstalk voltage makes it an important step for the circuit to function properly. This article first delves into the causes of crosstalk voltage generation. The main research object is synchronous Buck converters, and the reasons for the crosstalk voltage of SiC MOSFETs are analyzed. Afterwards, a novel drive circuit was designed to suppress crosstalk voltage, and the working principle of this drive circuit was analyzed. Finally, simulation was conducted using LTspice software to study and analyze the simulation results, proving the feasibility of this novel drive circuit for suppressing crosstalk voltage, and demonstrating the advantages and disadvantages of this novel drive circuit for suppressing crosstalk voltage.

Structurae kann Ihnen derzeit diese Veröffentlichung nicht im Volltext zur Verfügung stellen. Der Volltext ist beim Verlag erhältlich über die DOI: 10.1088/1742-6596/2703/1/012080.
  • Über diese
    Datenseite
  • Reference-ID
    10777528
  • Veröffentlicht am:
    12.05.2024
  • Geändert am:
    12.05.2024
 
Structurae kooperiert mit
International Association for Bridge and Structural Engineering (IABSE)
e-mosty Magazine
e-BrIM Magazine